NSD2017-Q1DABR
+
  • NSD2017-Q1DABR

产品技术规格

品牌:纳芯微
工作温度 (°C):-40~125
VCC(Max)(V):5.75
母线电压 (V):NA
输出通道:1
峰值驱动电流 (A):7/-5
驱动对象:GaNFET
封装:DFN6

关键词:

氮化镓驱动、驱动、纳芯微

NSD2017-Q1DABR

氮化镓驱动

品牌:

纳芯微

封装:

DFN6

描述:

特性:窄脉冲发波能力,高频开关特性,小脉宽失真

立即分享

  • 产品描述
  • 描述
  • 品牌:纳芯微
    工作温度 (°C):-40~125
    VCC(Max)(V):5.75
    母线电压 (V):NA
    输出通道:1
    峰值驱动电流 (A):7/-5
    驱动对象:GaNFET
    封装:DFN6
  • 特性:窄脉冲发波能力,高频开关特性,小脉宽失真

关键词:

氮化镓驱动、驱动、纳芯微

需要我们帮助吗?

填写您的电话和E-mail信息,我们将在一个工作日内及时与您取得联系,尽快解决您提出的问题。 

查看隐私保护承诺
立即提交